Ученые НИТУ «МИСиС» разработали способ создания двумерных полупроводников с заданными свойствами — это позволит конструировать миниатюрные изделия электроники. Но пока говорить о промышленном производстве рано, ученым необходимо провести дополнительные исследования, сообщает в понедельник газета «Известия».

«Получен новый полупроводниковый материал на основе нитрида бора. У него можно контролируемым способом менять ширину запрещенной зоны путем изменения концентрации кислорода», — сказал изданию главный научный сотрудник Института биохимической физики РАН Леонид Чернозатонский.

Аналог Ноткоин - TapSwap Получай Бесплатные Монеты

Подробнее читайте на izvestia.ru